2017年11月1日，“忻州半導體及新材料產(chǎn)業(yè)園”在忻州經(jīng)濟開發(fā)區(qū)奠基標志著忻州戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)集群發(fā)展揭開序幕，該項目集聚高端半導體基礎新材料的研發(fā)、加工及制造;以規(guī)模化基礎材料生產(chǎn)引來相應的集成電路芯片設計、制造及測封等配套產(chǎn)業(yè)進駐園區(qū)，利用半導體襯底材料強大的制造基礎，通過整合設計、測封及銷售企業(yè)，協(xié)同發(fā)展，逐步形成“協(xié)同式IDM”(CIDM，Commune IntegratedDevice Manufacturer)的發(fā)展模式。
目前園區(qū)東區(qū)建設正在加緊建設，其中16700平方米集單晶體生長及晶片加工制造的砷化鎵車間已基本完成，進入設備安裝及運維調(diào)試階段，該車間是目前全球最大的砷化鎵晶片加工制造單體車間。
“半導體及新材料產(chǎn)業(yè)園”園區(qū)由忻州市開發(fā)區(qū)通匯建設發(fā)展有限責任公司與中科晶電信息材料(北京)股份有限公司共同出資建設。“梧桐芯洲小鎮(zhèn)”項目位于忻州開發(fā)區(qū)七一路以東，開元街以北，新建路以西為西區(qū)，正豐街以南及云中路以西圍成的東區(qū);總規(guī)劃用地約2242畝(分為東區(qū)：202畝，西區(qū)：2040畝)。園區(qū)包括產(chǎn)業(yè)區(qū)、學研中心、總部基地、孵化基地、會展商務、國際學校及人才公寓，總建筑面積約119.74萬m(2東區(qū)11.36萬m2，西區(qū)108.38萬m2)。總投資2.5億元，配套建筑面積約1.7萬平方米，建設有2英寸、3英寸、4英寸、6英寸砷化鎵襯底材料大規(guī)模生產(chǎn)線，規(guī)劃年產(chǎn)砷化鎵單晶片折合4英寸200萬片。
