型號(hào)1064Chipmill離子束制備SEM樣品制備半導(dǎo)體
邏輯和內(nèi)存半導(dǎo)體設(shè)備的毫米級(jí)延遲的完全集成解決方案。 Chipmill通過(guò)人工智能反饋控制算法從多個(gè)檢測(cè)器集成了信號(hào)，以實(shí)時(shí)調(diào)整銑削參數(shù)。結(jié)果是設(shè)備層的精確去除和高度平面的表面。
MODEL 1064 ChipMill
一款完全集成的解決方案，適用于毫米級(jí)邏輯和存儲(chǔ)半導(dǎo)體器件的分層處理。ChipMill通過(guò)人工智能反饋控制算法集成來(lái)自多個(gè)探測(cè)器的信號(hào)，實(shí)時(shí)調(diào)整研磨參數(shù)，從而實(shí)現(xiàn)精確的器件層去除和高度平坦的表面。
Model 1064 ChipMill 規(guī)格說(shuō)明
離子源
類型：熱燈絲電子轟擊
束能量：100 eV 至 10 keV；以5 eV為增量連續(xù)可調(diào)
束直徑：0.5 至 2 mm；根據(jù)能量水平可調(diào)
最大電流：10 μA
電流密度：5 mA/cm2（0.5 mm束斑中的10 μA）
工作距離：25 至 100 mm
掃描范圍：10 mm
束控制：X-Y靜電偏轉(zhuǎn)
燈絲壽命：200小時(shí)
燈絲維護(hù)：易于更換
冷卻方式：風(fēng)冷
負(fù)載鎖
抽真空時(shí)間：< 60秒
排氣時(shí)間：< 20秒
研磨均勻性
對(duì)于10 mm直徑的研磨區(qū)域：表面平整度優(yōu)于50 nm
用戶界面
用戶友好的界面，用于設(shè)置研磨參數(shù)并顯示圖像和分析數(shù)據(jù)
位于負(fù)載鎖附近的觸摸屏便于樣品交換
堆棧燈指示器可從遠(yuǎn)處確定研磨操作狀態(tài)
支持遠(yuǎn)程操作
MODEL 1064 ChipMill
一款完全集成的解決方案，適用于毫米級(jí)邏輯和存儲(chǔ)半導(dǎo)體器件的分層處理。ChipMill通過(guò)人工智能反饋控制算法集成來(lái)自多個(gè)探測(cè)器的信號(hào)，實(shí)時(shí)調(diào)整研磨參數(shù)，從而實(shí)現(xiàn)精確的器件層去除和高度平坦的表面。
咨詢電話：13522079385
自動(dòng)終止
研磨操作可通過(guò)時(shí)間、芯片結(jié)構(gòu)或化學(xué)成分終止
樣品臺(tái)
研磨平面：通過(guò)自動(dòng)高度檢測(cè)確定
研磨角度范圍：0 至 10°
旋轉(zhuǎn)：360°連續(xù)旋轉(zhuǎn)
搖擺：0 至 179°；以1°為增量可調(diào)
樣品尺寸：15 x 15 mm，厚度≤ 3 mm
研磨區(qū)域：直徑10 mm
樣品圖像采集
相機(jī)
視場(chǎng)：1 cm
電子束柱
加速電壓范圍：0.5 至 10 kV
分辨率：100 nm
工作距離：16 mm
探測(cè)器
二次電子探測(cè)器（SED）
背散射電子（BSE）探測(cè)器
能量色散X射線光譜（EDS）探測(cè)器
二次離子質(zhì)譜（SIMS）探測(cè)器
工藝氣體
類型：氬氣
純度：≥ 99.995%
流量：可調(diào)，約0.1 sccm
標(biāo)稱壓力：15 至 30 psi
控制氣體
類型：氬氣、干燥氮?dú)饣蚯鍧嵏稍锟諝?/span>
標(biāo)稱壓力：55 psi，±5 psi
真空系統(tǒng)
兩級(jí)泵：無(wú)油隔膜泵和渦輪分子泵
真空檢測(cè)器：皮拉尼和冷陰極全范圍真空計(jì)
外殼尺寸
寬度：112 cm [44.1 in.]
高度：180.6 cm [71.1 in.]
深度：52.4 cm [20.6 in.]
重量：287 kg [632 lb.]
電源
220/240 V，50/60 Hz，1500 W
保修
一年
