隨著半導(dǎo)體封裝技術(shù)邁向2.5D與3D集成化方向，芯片厚度不斷減薄，單片功能密度顯著提升。如何在保證高精度、高良率的前提下完成晶圓切割，成為先進(jìn)封裝環(huán)節(jié)的關(guān)鍵挑戰(zhàn)。
傳統(tǒng)刀片切割在應(yīng)對(duì)超薄晶圓時(shí)易出現(xiàn)崩邊、隱裂、顆粒污染等問題，嚴(yán)重影響后續(xù)封裝良率。為此，業(yè)界逐漸轉(zhuǎn)向以激光隱形切割（Laser Stealth Dicing）為核心的無損加工技術(shù)。
在此背景下，德龍激光推出自主研發(fā)的LSD-6130硅晶圓激光隱切設(shè)備。該設(shè)備針對(duì)12英寸硅存儲(chǔ)芯片研發(fā)，全面支持SDAG與SDBG工藝，特別適用于厚度35～85 μm的超薄晶圓隱切與減薄前加工，是先進(jìn)封裝制程中不可或缺的關(guān)鍵裝備。
設(shè)備已獲得存儲(chǔ)芯片國內(nèi)頭部廠商的首個(gè)國產(chǎn)量產(chǎn)訂單，項(xiàng)目已通過客戶端量產(chǎn)驗(yàn)證，后續(xù)將持續(xù)優(yōu)化并逐步擴(kuò)大應(yīng)用規(guī)模。
01、
行業(yè)背景：SDBG成為超薄晶圓加工新趨勢
在半導(dǎo)體制造中，傳統(tǒng)的工藝順序?yàn)橄葴p薄后切割（DAG：Dicing After Grinding）。
然而，隨著晶圓厚度降至百微米甚至幾十微米級(jí)，減薄后的晶圓極易破裂或翹曲，機(jī)械切割風(fēng)險(xiǎn)極高。于是，SDBG（Stealth Dicing Before Grinding）技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生。其工藝流程為：
先利用激光在晶圓內(nèi)部預(yù)設(shè)隱形改質(zhì)層 → 再進(jìn)行背面減薄研磨 → 晶圓在應(yīng)力作用下自動(dòng)分離成單芯片。
這種方式不僅避免了對(duì)超薄晶圓的機(jī)械應(yīng)力影響，也顯著減少了崩邊與微裂紋，實(shí)現(xiàn)更高良率、更清潔的分割效果。
因此，SDBG技術(shù)正成為3D NAND、DRAM、CIS及高端邏輯芯片等領(lǐng)域的主流制程方案。
02、
核心技術(shù)亮點(diǎn)：LSD-6130讓SDBG更穩(wěn)定、更高效德龍激光LSD-6130基于十多年半導(dǎo)體激光加工經(jīng)驗(yàn)，專為SDBG工藝優(yōu)化設(shè)計(jì)，具備高精度、高穩(wěn)定性和智能化的系統(tǒng)架構(gòu)。高速高精密直線電機(jī)平臺(tái)
采用高精度直線電機(jī)驅(qū)動(dòng)的X-Y高速運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)，配合高分辨率光柵尺，實(shí)現(xiàn)微米級(jí)定位精度與優(yōu)異的動(dòng)態(tài)響應(yīng)性能，為隱切軌跡提供穩(wěn)定控制。
DFT動(dòng)態(tài)追蹤補(bǔ)償系統(tǒng)
LSD-6130配備德龍自主研發(fā)的DFT（Dynamic Focus Tracking）動(dòng)態(tài)追蹤補(bǔ)償系統(tǒng)，能夠?qū)崟r(shí)檢測晶圓表面翹曲并自動(dòng)調(diào)整焦距。
該系統(tǒng)保證激光焦點(diǎn)精準(zhǔn)作用于晶圓內(nèi)部預(yù)定深度，是實(shí)現(xiàn)改質(zhì)層均勻性與斷裂一致性的關(guān)鍵。
LBC激光整形技術(shù)
設(shè)備采用LBC（Laser Beam Conditioning）光束整形系統(tǒng)，對(duì)激光能量密度進(jìn)行精準(zhǔn)調(diào)控。
優(yōu)化后的光斑具有更均勻的能量分布，使改質(zhì)層連續(xù)、斷面平整，Splash濺射控制在10 μm以內(nèi)，極大提升切割潔凈度，為SDBG后續(xù)研磨提供理想界面。
全自動(dòng)上下料與智能軟件平臺(tái)
LSD-6130支持自動(dòng)上下料系統(tǒng)，兼容多種晶圓載具形式，實(shí)現(xiàn)無人化連續(xù)作業(yè)。
配合智能化操作軟件，可進(jìn)行工藝參數(shù)自動(dòng)調(diào)用、實(shí)時(shí)監(jiān)控與數(shù)據(jù)追溯，降低操作門檻并確保工藝一致性。
03、
SDBG工藝的顯著優(yōu)勢LSD-6130應(yīng)用SDBG工藝的應(yīng)用價(jià)值主要體現(xiàn)在以下幾方面：減小應(yīng)力損傷
隱形改質(zhì)層在晶圓內(nèi)部完成，不破壞表面金屬層與電路結(jié)構(gòu)，后續(xù)研磨時(shí)僅需極小應(yīng)力即可實(shí)現(xiàn)分離。
提升晶圓良率
隱切精度高、邊緣無裂紋，減少封裝過程中良率損失。
優(yōu)化封裝工藝銜接
激光隱切后的改質(zhì)層深度與位置精準(zhǔn)可控，確保研磨后晶圓自動(dòng)沿預(yù)設(shè)分割線斷裂，與后段研磨、清洗工藝高度匹配。
減少污染與清洗負(fù)擔(dān)
無切削液、無碎屑產(chǎn)生，極大降低顆粒污染風(fēng)險(xiǎn)，滿足潔凈室工藝標(biāo)準(zhǔn)。
工藝靈活可擴(kuò)展
LSD-6130可快速切換至SDAG模式（Stealth Dicing After Grinding），支持多工藝兼容應(yīng)用，為客戶提供靈活的生產(chǎn)選擇。
咨詢：159 1097 4236
04、
應(yīng)用領(lǐng)域與價(jià)值
LSD-6130廣泛應(yīng)用于2.5D/3D先進(jìn)封裝、堆疊式存儲(chǔ)芯片（NAND/DRAM）、影像傳感器CIS、邏輯芯片、MEMS器件等領(lǐng)域。
憑借出色的隱切品質(zhì)與設(shè)備穩(wěn)定性，LSD-6130可有效提升整體封裝良率、降低后段損耗，并在生產(chǎn)效率與制程可靠性上全面超越傳統(tǒng)切割方式。
